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内核电压（V）:2.8 制作工艺:0.35微米 晶体管（万）:450 核心面积（mm2）:MMX，SSE 主频:233MHz 总线频率:66MHz 倍频（倍）:3.5 插槽类型:Socket 7 L1缓存:32 指令集:57条MMX多媒…[详细信息]
内核电压（V）:2.8 制作工艺:0.35微米 晶体管（万）:450 主频:233MHz 总线频率:66MHz 倍频（倍）:3.5 插槽类型:Socket 7 L1缓存:32 指令集:57条MMX多媒体指令（处理音频、视频 等数…[详细信息]
